隨著Wolfspeed與Soitec相繼宣布8吋SiC晶 - 股票QA

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隨著Wolfspeed與Soitec相繼宣布8吋SiC晶圓量產，預估將帶動擴產趨勢

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https://bit.ly/3NbIUv7

發布時間：

2022/5/13

記者署名：

Kyle

原文內容：
Soitec於2022年5月初發佈其首款8吋碳化矽SmartSiC晶圓。使得Soitec的碳化矽（SiC）
產品組合已經擴大到6吋晶圓以上，這標示著SmartSiC晶圓的開發提升到一個新的水準，
並滿足汽車市場不斷成長的需求。

首批 8吋SmartSiC基板誕生於 Soitec 與 CEA-Leti 合作，位於法國Grenoble基板創新中
心的試產線。2022 年 3 月，Soitec在法國Bernin啟動了新晶圓廠Bernin 4的建設，用於
生產6吋和8吋 的 SmartSiC晶圓。目前預計Bernin 4將於 2023 年下半年投入量產行列。

基本上，Soitec 獨特的 SmartSiC技術能夠將極薄的高品質碳化矽層鍵合到電阻率極低的
多晶碳化矽晶圓上，從而顯著提高電力電子設備的性能與電動車的能源效率。

對於Soitec來說，8吋Smart SiC晶圓的發佈是其技術開發和部署的一個重要里程碑。這也
可以鞏固Soitec的技術領先地位，並推動創新和推出下一代晶圓技術的能力。

至於碳化矽技術和製造的全球大廠Wolfspeed也於5月初宣佈，其位於美國紐約州Mohawk
Valley，以10億美元興建的8吋晶圓工廠正式開始啟用，這將有助於該公司推進諸多產業
從矽基礎的產品轉向碳化矽基礎的晶片。

Wolfspeed還宣佈，Lucid Motors的高性能純電動車Lucid Air將採用Wolfspeed的碳化矽
電源裝置解決方案。除了Lucid，2021年Wolfspeed還曾經宣佈與通用汽車簽署一項策略供
應協定，將為通用EV提供碳化矽功率裝置解決方案。

與矽材料晶片相比，8吋和6吋碳化矽生產的主要差別在高溫製程上的挑戰。例如：高溫離
子注入，高溫氧化，高溫啟動等，以及這些高溫製程所需求的硬式遮罩層製程等。

這也是已經擁有8吋碳化矽基板技術的Wolfspeed、II-VI（高意）、SiCrystal（已經被
ROHM收購）、意法半導體、Soitec等公司中，只有Wolfspeed和Soitec已經宣布可利用8吋
晶圓量產。至於特斯拉Model 3的碳化矽模組供應商意法半導體，也還在擴建自己的8吋碳
化矽晶圓廠中。

其實，要將碳化矽往更大晶圓面積發展的挑戰並非那麼簡單，這也是為什麼碳化矽從4吋
走向6吋晶圓的過程中，4吋晶圓到2020年產能仍超越6吋的原因。不過，往8吋晶圓發展是
趨勢，也是碳化矽廠商想要鞏固其獲利與競爭力的關鍵。因為碳化矽的初始晶圓成本占
1200V SiC mosfet外延晶圓成本的60%以上。8吋碳化矽晶圓是擴大產量的關鍵一步，未來
廠商也勢必將前仆後繼往8吋晶圓擴廠。


心得/評論：

從獲利角度來看，由於Wolfspeed從6吋晶圓轉換至8吋晶圓製造的緣故，毛利率將從30%出
頭提高到50%以上，使得未來幾年Wolfspeed也將從虧損轉變至獲利，並於2022年之後獲得
8吋晶圓製造帶來的好處。這勢必將帶動更多廠商於未來幾年陸續往8吋晶圓工廠移動。

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