美光斥資台幣 4,000 億元在台擴產，1z nm - 股票

美光斥資台幣 4,000 億元在台擴產，1z nm DRAM 生產技術落腳中科

科技新報 2019/08/26

根據《經濟日報》報導，為了滿足未來在 5G 時代中包括人工智慧、物聯網、智慧駕駛等運用的需求，全球三大 DRAM 製造商之一的美光 (Micron) 將斥資超過台幣 4,000 億元，於台中中科廠區擴大產線。

報導指出，目前為在台灣投資最大外商的美光，這次再加碼投資台灣，是計劃在中科再興建 A3 及 A5 兩座廠房。其中，在 A3 廠房方面，預計 2020 年 8 月份完工，並且在第 4 季陸續導入試產最新的第 3 代 10 奈米級 (1z nm) 製程。至於，在第 2 期的 A5 廠房方面，美光則會依據屆時市場上的需求，逐步增加產能。據了解，目前規劃的月產能為 6 萬片。

對此，美光坦承目前在 A3 廠已進入興建階段，並且以擴建無塵室為主，而且還將將入包括桃園與台中中科前段晶圓廠的生產線，並進一步提升美光在台 DRAM 卓越中心的設備更新、技術升級。至於兩個廠的投資金額與其他細節規劃，美光則不方便透露。另外，除了產能的擴充之外，美光將進一步整併現有的組織架構，包括當前的 A1 及 A2 廠將直屬美光台灣董事長兼台中廠營運長徐國晉管轄，其他職務重疊的主管將進行優退。

事實上，美光日前就已經正式宣布開始量產第 3 代 10 奈米級 (1z nm) 製程 DRAM，而且市場人士也預計將會在台中中科廠區規劃產線生產。如今，證實該項訊息。而根據美光日前的表示，與第 2 代 10 奈米級（1y nm）製程相比，美光的第 3 代 10 奈米級 (1z nm) 製程技術將使該公司能夠提高其 DRAM 的位元密度，進而增強性能，並且降低功耗。

此外，以第 3 代 10 奈米級製程所生產新一代 DRAM，就同樣是 16GB DDR4 的產品來比較，功耗較第 2 代 10 奈米級製程產品低 40%。另外，在 16GB LPDDR4X DRAM 方面，1z nm 製程技術將較 1y nm 製程技術的產品節省高達 10% 的功率。而且，由於 1z nm 製程技術提供的位元密度更高，這使得美光可以降低生產成本，未來使得記憶體更加便宜。

美光這次的擴廠主因，除了看準未來 5G 時代的市場需求之外，另外就是在日韓貿易戰的狀況下，有可能使得南韓三星與 SK 海力士的生產遭受影響，導致市場的需求與價格的提升，逐步擺脫先前記憶體低檔的情況，因此才會大動作宣布擴廠。而擴產的當下，未來也預計美光將需要增加人手，進一步進行大規模徵才的動作。

https://finance.technews.tw/2019/08/26/micron-more-investment-in-taiwan/

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