日韓廠以併購或合作方式加速切入功率半 - 股票QA
By Ula
at 2022-05-04T15:23
at 2022-05-04T15:23
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原文標題:
日韓廠以併購或合作方式加速切入功率半導體
原文連結:
https://bit.ly/3w476Zf
發布時間:
2022/5/4
記者署名:
科技產業資訊室 (iKnow) - Kyle
原文內容:
2022年4月底,接連發生廠商以併購或合作夥伴的方式,進軍功率半導體的SiC和GaN功率
元件市場。
首先,韓國第三大企業集團SK Group的投資型控股公司SK公司將收購生產SiC的Yes
Powertechnix。通過額外注資約1200億韓圜(約9500萬美元),SK公司表示將收購Yes
Powertechnix 95.8%的股權和管理權。
SK通過收購Yes Powertechnix,它將能夠在韓國首次建立從晶圓生產到SiC功率半導體設
計和製造的價值鏈。其實,SK集團的半導體晶圓部門SK Siltron於2020年收購了杜邦的
SiC晶圓業務。Yes Powertechnix可以通過SK Siltron獲得穩定SiC晶圓的供應。
其次,日本電裝株式會社(DENSO)和聯電日本子公司USJC共同宣佈新的合作計劃,將在
USJC的12吋晶圓廠合作生產車用功率半導體。
DENSO將提供其系統導向的IGBT元件與製程技術,而USJC則將提供12吋晶圓廠製造能力,
並預計在2023年上半年,以IGBT製程在12吋晶圓廠中進行量產。該項合作已獲得日本政府
經濟產業省的必要性半導體減碳及改造計畫的支持。
第三,日本半導體IDM大廠羅姆(Rohm)和台灣電源管理系統公司台達電締結戰略性合作
夥伴關係,將攜手研發GaN功率半導體。
通過將台達的電源元件開發技術與Rohm的電源開發和製造專業知識相結合,兩家公司正在
尋求開發針對各種電源系統優化的600V GaN功率元件。
事實上,在過去幾年中,隨著終端應用對功率元件效率的要求愈來愈高,SiC和GaN技術在
半導體產業中的應用愈來愈多。畢竟,與矽技術相比,SiC和GaN等新材料具有明顯的優勢
。它們可以承受高電壓彈性,實現更快的開關,在高溫下工作。其亦可通過更低的傳導電
阻,可以減少熱量和功耗,從而提高效率且節省能源。
根據市場分析師Fact.MR預估,2022年全球SiC和GaN功率半導體市場預計將達到8.84億美
元,到2032年需求將超過69.5億美元,也就是說,在2022至2032年期間的年複合成長率為
23%。
不過,兩者仍是有一些差異,它們分別適用於不同類型的應用。SiC比GaN能在更高的電壓
下工作,但它需要更高的柵極驅動電壓。另一方面,GaN的開關速度更快,但工作電壓比
SiC略低。在這兩種寬能隙元件中,SiC擁有更大的市場佔有率,因為近年來SiC晶圓基板
品質的提高,使得其能獲得更大直徑的晶圓,因此,大電流、低成本的設備已經問世,並
開始用於各種設備。
心得/評論: ※必需填寫滿30字,無意義者板規處分
一般來說,SiC與GaN的區隔市場以耐受電壓600~650伏特為界,高於此一區間的應用是以
SiC為主;低於此一區間的市場則是以GaN為主。SiC及GaN元件的應用範圍廣,不少日韓廠
商為了加速發展及鞏固地位,紛紛尋求以併購或合作的方式搶占市場,其中羅姆和台達電
合作發展GaN半導體。
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日韓廠以併購或合作方式加速切入功率半導體
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https://bit.ly/3w476Zf
發布時間:
2022/5/4
記者署名:
科技產業資訊室 (iKnow) - Kyle
原文內容:
2022年4月底,接連發生廠商以併購或合作夥伴的方式,進軍功率半導體的SiC和GaN功率
元件市場。
首先,韓國第三大企業集團SK Group的投資型控股公司SK公司將收購生產SiC的Yes
Powertechnix。通過額外注資約1200億韓圜(約9500萬美元),SK公司表示將收購Yes
Powertechnix 95.8%的股權和管理權。
SK通過收購Yes Powertechnix,它將能夠在韓國首次建立從晶圓生產到SiC功率半導體設
計和製造的價值鏈。其實,SK集團的半導體晶圓部門SK Siltron於2020年收購了杜邦的
SiC晶圓業務。Yes Powertechnix可以通過SK Siltron獲得穩定SiC晶圓的供應。
其次,日本電裝株式會社(DENSO)和聯電日本子公司USJC共同宣佈新的合作計劃,將在
USJC的12吋晶圓廠合作生產車用功率半導體。
DENSO將提供其系統導向的IGBT元件與製程技術,而USJC則將提供12吋晶圓廠製造能力,
並預計在2023年上半年,以IGBT製程在12吋晶圓廠中進行量產。該項合作已獲得日本政府
經濟產業省的必要性半導體減碳及改造計畫的支持。
第三,日本半導體IDM大廠羅姆(Rohm)和台灣電源管理系統公司台達電締結戰略性合作
夥伴關係,將攜手研發GaN功率半導體。
通過將台達的電源元件開發技術與Rohm的電源開發和製造專業知識相結合,兩家公司正在
尋求開發針對各種電源系統優化的600V GaN功率元件。
事實上,在過去幾年中,隨著終端應用對功率元件效率的要求愈來愈高,SiC和GaN技術在
半導體產業中的應用愈來愈多。畢竟,與矽技術相比,SiC和GaN等新材料具有明顯的優勢
。它們可以承受高電壓彈性,實現更快的開關,在高溫下工作。其亦可通過更低的傳導電
阻,可以減少熱量和功耗,從而提高效率且節省能源。
根據市場分析師Fact.MR預估,2022年全球SiC和GaN功率半導體市場預計將達到8.84億美
元,到2032年需求將超過69.5億美元,也就是說,在2022至2032年期間的年複合成長率為
23%。
不過,兩者仍是有一些差異,它們分別適用於不同類型的應用。SiC比GaN能在更高的電壓
下工作,但它需要更高的柵極驅動電壓。另一方面,GaN的開關速度更快,但工作電壓比
SiC略低。在這兩種寬能隙元件中,SiC擁有更大的市場佔有率,因為近年來SiC晶圓基板
品質的提高,使得其能獲得更大直徑的晶圓,因此,大電流、低成本的設備已經問世,並
開始用於各種設備。
心得/評論: ※必需填寫滿30字,無意義者板規處分
一般來說,SiC與GaN的區隔市場以耐受電壓600~650伏特為界,高於此一區間的應用是以
SiC為主;低於此一區間的市場則是以GaN為主。SiC及GaN元件的應用範圍廣,不少日韓廠
商為了加速發展及鞏固地位,紛紛尋求以併購或合作的方式搶占市場,其中羅姆和台達電
合作發展GaN半導體。
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By Hedy
at 2022-05-05T23:04
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By Ophelia
at 2022-05-05T05:10
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