1.原文連結:
https://udn.com/news/story/7240/2629582
2.原文內容:
快閃記憶體高峰會(FMS)將於美國時間8月8日在聖塔克拉拉登場,記憶體控制晶片廠群聯
將推出包括UFS與固態硬碟(SSD)等多項新產品,積極卡位高階市場。
群聯表示,支援新一代3D儲存型快閃記憶體(NANDFlash)的控制晶片,將是今年下半年
力推的重點產品,FMS會中將發表符合未來5G智慧手機需求的UFS 2.1規格快閃記憶體控制
晶片PS8313。
此外,群聯將針對SSD推出PCIe G3x4及SATA III兩種規格的8通道控制晶片
PS3112-E12及PS3112-S12。
群聯董事長潘健成指出,PS8313除可將UFS的讀寫速度推進到SSD等級,並搭配NAND Flash
國際大廠最新3D TLC技術,將可提供高階智慧手機達到最佳容量的性價比。
群聯並持續積極布局次世代產品,已在第3季完成UFS 3.0控制晶片設計,預計2018下半年
正式量產。
PS3112-E12及PS3112-S12是群聯深耕高階SSD市場的重要新產品,內部看好將是驅動新一
波營運成長的主要動力。
3.心得/評論:
FMS 為國際快閃記憶體指標性盛會
P再度秀出殺手級產品
密碼998299
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https://udn.com/news/story/7240/2629582
2.原文內容:
快閃記憶體高峰會(FMS)將於美國時間8月8日在聖塔克拉拉登場,記憶體控制晶片廠群聯
將推出包括UFS與固態硬碟(SSD)等多項新產品,積極卡位高階市場。
群聯表示,支援新一代3D儲存型快閃記憶體(NANDFlash)的控制晶片,將是今年下半年
力推的重點產品,FMS會中將發表符合未來5G智慧手機需求的UFS 2.1規格快閃記憶體控制
晶片PS8313。
此外,群聯將針對SSD推出PCIe G3x4及SATA III兩種規格的8通道控制晶片
PS3112-E12及PS3112-S12。
群聯董事長潘健成指出,PS8313除可將UFS的讀寫速度推進到SSD等級,並搭配NAND Flash
國際大廠最新3D TLC技術,將可提供高階智慧手機達到最佳容量的性價比。
群聯並持續積極布局次世代產品,已在第3季完成UFS 3.0控制晶片設計,預計2018下半年
正式量產。
PS3112-E12及PS3112-S12是群聯深耕高階SSD市場的重要新產品,內部看好將是驅動新一
波營運成長的主要動力。
3.心得/評論:
FMS 為國際快閃記憶體指標性盛會
P再度秀出殺手級產品
密碼998299
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