南韓KAIST啟動FinFET專利戰 - 專利

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南韓科學技術研究院（KAIST）專利智財管理子公司KAIST IP於2016年11月29日，向美國
東德州聯邦地方法院提起專利侵權訴訟，控告三星（Samsung）、高通（Qualcomm）以及
格羅方德（GlobalFoundries）侵犯一項技術專利，有關於鰭式場效電晶體（FinFET）技
術，要求支付專利使用費，可能下一波訴訟對象是台積電、聯電等代工廠，或是終端應用
商蘋果等。

南韓專利智財管理公司KAIST IP US是KAIST IP在美國設立之子公司，該公司隸屬於韓國
科學技術研究院（KAIST）是為促進所開發的知識產權和技術而成立。KAIST成立於1971年
由南韓政府設立，是韓國第一個研究型科學與工程機構，目前擁有超過9000名學生和1100
名教授研究員，在全球擁有超過3,300項註冊專利。同時，KAIST是南韓的研究型大學，與
首爾國立大學、高麗大學、延世大學和成均館大學，並列為南韓前五大大學。

本案系爭專利US6885055 (Double-gate FinFET device and fabricating method
thereof)，有關於鰭式場效電晶體（FinFET）製程技術。原專利權人Lee Jong-Ho是首爾
國立大學電子工程系教授，後於2016.07.20將專利權轉移給KAIST IP CO., LTD，後又於
2016.08.10轉給旗下美國子公司KAIST IP US LLC，以便在美國法院主張專利權進行訴訟
。

公開號 US6885055 B2
申請書編號 US 10/358,981
發佈日期 2005年4月26日
申請日期 2003年2月4日
優先權日期 2003年2月4日
其他公開專利號 US20040150029
發明人 Jong-ho Lee (李鍾浩)
原專利權人 Lee Jong-Ho
目前專利權人 KAIST IP US LLC

近2年來，半導體最熱門的討論就是「FinFET」技術，被認為是目前高性能手機中重要的
核心技術之一，且已被多家廠商採用，例如：iPhone 6s內新一代A9應用處理器採用新電
晶體架構很可能為鰭式電晶體（FinFET），還有三星電子Galaxy系列在內的10多款手機都
使用了FinFET。代表FinFET開始全面攻佔手機處理器、三星與台積電較勁，將10 奈米
FinFET 正式納入開發藍圖 、聯電攜 ARM完成 14 奈米 FinFET 製程測試。

更先進3D FinFET由美國加州大學伯克萊分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey
Bokor 等三位教授發明了「鰭式場效電晶體（Fin Field Effect Transistor，FinFET）
」，把原本 2D 構造的 MOSFET 改為 3D 的 FinFET，因為構造很像魚鰭 ，因此稱為「鰭
式（Fin）」。

值得一提的是，這個技術的發明人胡正明教授，就是梁孟松的博士論文指導教授，換句話
說，梁孟松是這個技術的核心人物之一，台積電沒有重用梁孟松來研發這個技術，致使他
跳糟到三星電子，讓三星電子的 FinFET 製程技術在短短數年間突飛猛進趕上台灣，這才
是台灣半導體晶圓代工產業最大的危機。

KAIST IP聲稱，其FinFET專利技術已獲英特爾(Intel)採用，該技術發明人李鍾浩說：三
星曾與他討論過該FinFET技術，之後就盜用該技術。所以主張，三星及格羅方德侵犯該公
司的「FinFET」專利技術，之後三星、格羅方格以14奈米FinFET製程技術供應晶片給高通
，因此高通成為被告。

台積電則以16奈米FinFET製程幫蘋果生產iPhone用晶片。據韓媒報導，KAIST已經計畫在
蒐集證據後，準備向台積電提起訴訟。台積電內部認為，三大半導體都拒絕支付專利費用
給KAIST，顯見三家半導體廠都具備自主研發的FinFET技術。

「FinFET」專利技術將是半導體廠必爭之地。從半導體製程、晶片、封裝到終端應用等廠
商將群起圍攻，KAIST將面臨一場長期性硬仗。KAIST能否求償授權金成功？還很難說。

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