中芯國際7nm工藝Q4季度問世：性能提升20% - 股票

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http://news.mydrivers.com/1/674/674728.htm

2.原文內容：

中芯國際7nm工藝Q4季度問世：性能提升20% 功耗降低57%

台積電、三星今年就要量產5nm工藝了，國內的先進工藝還在追趕，最大的晶圓代工廠中
芯國際去年底量產了14nm工藝，帶來了1%的營收，收入769萬美元，不過該工藝技術已經
可以滿足國內95%的需求了。

14nm及改進型的12nm工藝是中芯國際第一代FinFET工藝，他們還在研發更先進的N+1括
N+2 FinFET工藝，分別相當於7nm工藝的低功耗、高性能版本。

根據中芯國際聯席CEO梁孟松博士所示，N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低
了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

N+1之後還會有N+2，這兩種工藝在功耗上表現差不多，區別在於 性能及成本，N+2顯然是
面向高性能的，成本也會增加。

至於備受關注的EUV光刻機，梁孟松表示在當前的環境下，N+1、N+2代工藝都不會使用EUV
工藝，等到設備就緒之後，N+2工藝可能會有幾層光罩使用EUV，之後的工藝才會大規模轉
向EUV光刻工藝。

現在最關鍵的是中芯國際的7nm何時量產，最新消息稱中芯國際的N+1 FinFET工藝已經有
客戶導入了（不過沒公佈客戶名單），今年Q4季度小規模生產——這個消息比之前的爆料
要好一些，進度更快。

為了加快先進工藝產能，中芯國際今年的資本開支將達到31億美元（該公司一年營收也不
過30億美元上下），其中20億美元用於中芯國際的上海12英吋晶圓廠，5億美元用於北京
12英吋晶圓廠。

3.心得/評論：

沒想到那麼快中芯今年Q4就能小規模生產7nm

不知道是真的還假的

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