三星 2021 年資本支出約300億美元 - 股票

隨台積電提高資本支出腳步，三星 2021 年半導體投資近 300 億美元


隨著半導體市場需求的成長，晶圓代工龍頭台積電宣布 2021 年將提高資本支出到 250
億美元至 280 億美元之後，競爭對手南韓三星也不遑多讓，預計 2021 年針對半導體事
業的資本支出較 2020 年增加 20%，金額達 35 兆韓圜（約 296 億美元），將分別投資
於記憶體與晶圓代工等相關事業。

根據南韓媒體《ETnews》報導，三星即將於 2021 年開始規模達 35 兆韓圜的投資計畫，
包括投資中國西安及南韓平澤等地生產線，投資項目不僅 DRAM 與 NAND Flash 等記憶體
項目，還將包括晶圓代工業務的部分。除此之外，三星方面也會積極投資相關供應鏈發展
，如相關的半導體材料、零組件，或者是設備的相關公司。

報導強調，三星的 35 兆韓圜投資計畫，其中 24 兆韓圜將用於記憶體事業，另外的 11
兆韓圜則將用於晶圓代工業務。而這些項目將集中在中國西安及南韓平澤的第 2 工廠，
且目前已經開始積極準備。例如，三星日前已經對南韓境內半導體設備商分別下訂 1,170
億及 276 億韓圜金額的設備，這些設備預計將在 2021 年 6 到 7 月份交貨，屆時將安
裝在中國西安的第 2 工廠中，用以生產 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND。另外，針對新一
代 DDR5 記憶體生產，三星日前也已經下訂 345 億韓圜的檢測設備。

南韓市場人士表示，因為 DRAM 與 NAND Flash 等記憶體項目是三星主要的營收來源，期
望藉由增加投資讓中國西安及南韓平澤第2工廠的空間能獲的充分的運用，以達到擴產增
加營收的目標。市場人士表示，三星預計把兩個地區第 2 工廠的空間填滿，這將使的中
國西安增加月產能達 5.5 萬片，而南韓平澤則將每月增加 DRAM 3 萬到 6 萬片的產能，
NAND Flash 每月增加 1.8 萬到 3 萬片的產能。

報導進一步指出，目前三星的投資計畫可能因為市場的狀況而有所變化。不過，因為武漢
肺炎疫情的影響，使得智慧型手機與汽車電子在當前快速復甦而造成市場需求大增，三星
積極增加投資將是必然的趨勢，藉以應付未來市場成長時的需求。不過，針對先前媒體報
導，三星預計斥資 100 億美元在美國德州奧斯汀興建晶圓廠一事，目前的進展可能趕不
上當前市場的需求。原因在於即使目前已經加快相關興建的計劃腳步，但當前仍處在基礎
設施規劃的狀態。因此，要整體完成晶圓廠的興建還需要 2~3 年的時間，使得短期間內
無法對三星的營運有所挹注。

https://technews.tw/2021/01/28/samsungs-capital-expenditure-will-reach-35-tril
lion-won-in-2021/


心得：

晶圓代工業務大概11兆韓元

約99.6億美元

跟gg大概維持1:3

但三星主力壓在2022三奈米gaa

明年大概是決戰




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