韓國首爾半導體指控美國百貨業者Kmart所 - 專利
By Charlie
at 2016-11-11T14:29
at 2016-11-11T14:29
Table of Contents
來源:https://goo.gl/kK6GP8
韓國首爾半導體指控美國百貨業者Kmart所販售柯達LED燈泡產品侵權
2016年9月9日,南韓LED研發製造大廠首爾半導體(Seoul Semiconductor,簡稱SSC)與其
子公司Seoul Viosys,向美國加州中區聯邦地方法院遞狀控告總部位於伊利諾州的美國百
貨零售連鎖業者凱瑪公司(Kmart)所販售之柯達公司(Kodak)型號41063-UL之LED燈泡產
品(為原告主張之唯一侵權產品,參見下圖)侵害其8項美國專利,並要求法院發佈臨時和
永久禁售令,過去侵權損害賠償、依據美專利法284條之審前及審後利息和惡意侵權加重賠
償,以及專利法285條律師費賠償等救濟。
本案較特殊之處,為原告於訴狀書中雖提到侵權產品包裝上存有Spotlite America Corp
(營業據點位於加州,可能是進口商)以及中國製造等產品來源字樣,然並未將該公司列
名被告,同時亦未將柯達公司列入指控對象,而僅控告該產品下游零售業者。由此可見,
首爾半導體在本案意在搶單,打擊競爭者並搶單進入下游零售通路。
本案8項系爭專利發明,涉及演色性指數(CRI)、磷光體相關組合、LED外延生長(epitaxial growth)
、LED晶片生產和多晶片安裝、全向LED照明以及首爾半導體所研發之Acrich多晶片連結方
案等LED相關技術,專利資訊概述如下:
1.
US 6,942,731「用於提高外延產生之量子點半導體元件的效率的方法」(Method for
improving the efficiency of epitaxially produced quantum dot semiconductor components)
,2005年9月13日獲准,優先權日為2000年8月30日,發明人為Roman Sellin, Nikolai N.
Ledenstov與Dieter Bimberg,原專利權人為德國柏林科技大學(Technische Universitaet Berlin)
,SSC於2012年8月7日經前者轉讓取得本項專利;原告於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害
請求項1。
2.
US 7,626,209 「具有多量子阱結構有源區域的發光二極管」(Light emitting diode having
active region of multi quantum well structure),2009年12月1日獲准,優先權日為
2007年12月18日,發明人為Dong Seon LEE與Eu Jin Hwang,原專利權人為SSC旗下子公司
Seoul Opto Device Co., Ltd.,Seoul Viosys於2014年4月21日經前者轉讓取得本項專利
;原告於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害請求項1。
3.
US 7,906,789「暖白光發光裝置和包含前述裝置的黑光模塊」(Warm White Light Emitting
Apparatus and Black Light Module Comprising the Same),2011年3月15日獲准,優先
權日為2008年7月29日,發明人為Jung Hwa Jung 與 Sang Min Lee,原專利權人及目前持
有人皆為SSC;原告於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害請求項1。
4.
US 7,951,626「發光裝置及其製造方法」(Light Emitting Device and Method of
Manufacturing the Same),2011年5月31日獲准,優先權日為2005年6月22日,發明人為
Jong Lam Lee、Jae Ho Lee、Yeo Jin Yoon、Eu Jin Hwan 與 Dae Won Kim,原專利權人
為Seoul Opto Device Co., Ltd.,Seoul Viosys於2014年4月21日經前者轉讓取得本項專
利;原告於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害請求項9。
5.
US 7,982,207「發光二極管」(Light Emitting Diode),2011年7月19日獲准,優先權日
為2007年10月29日,發明人為Hwa Mok Kim、Dae Won Kim、Dae Sung Kal,原專利權人為
Seoul Opto Device Co., Ltd.,Viosys於2014年4月21日經前者轉讓取得本項專利;原告
於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害請求項1。
6.
US 8,664,638「具有高電壓密度中間層的發光二極管及其製造方法」(Light-Emitting Diode
Having an Interlayer with High Voltage Density and Method for Manufacturing the
Same),2014年3月4日獲准,優先權日為2009年8月28日,發明人為Hong Jae Yoo、Kyung Hee Ye
,原專利權人為Seoul Opto Device Co., Ltd.,Viosys於2014年4月21日經前者轉讓取得
本項專利;原告於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害請求項1。
7.
US 8,860,331「用於交流電源操作的發光裝置」(Light Emitting Device for AC Power
Operations),2014年10月14日獲准,優先權日為2005年6月28日,發明人為Chung Hoon
Lee、James S. Speck、Hong San Kim、Jae Jo Kim、Sung Han Kim、Jae Ho Lee,原專利
權人為Seoul Opto Device Co., Ltd.,Viosys於2014年4月21日經前者轉讓取得本項專利
;原告於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害請求項11。
8.
US 9,240,529「紋理磷光轉換層發光二極管」(Textured Phosphor Conversion Layer
Light Emitting Diode),2016年1月19日獲准,優先權日為2004年7月6日,發明人為任教
於加州大學之諾貝爾物理學獎得主日裔科學家中村修二(Shuji Nakamura)以及其同事
Natalie Fellows DeMille、Steven P. DenBaars,,原專利權人為美國加州大學,SSC為本
項專利獨占性被授權人,並獲准以本項專利發起侵權訴訟;原告於訴狀中主張前述系爭產
品至少侵害請求項1。
SSC成立於1987年,現今為南韓最大以及全球第五大LED製造商,其LED產品主要應用於照明
、戶外看板、手機背光、家電產品儀表板及車用照明等領域,並自主研發多項創新技術,
及持有近千件LED相關技術專利組合。SSC旗下子公司Seoul Viosys負責開發應用在室內外
照明設備以及LED背光螢幕、電視、手機、相機及筆記型電腦等實用產品之LED晶片,Seoul
Optodevice則主要從事LED磊晶生產。
SSC持有之LED技術專利組合頗為強大,並使其在法院戰場上無往不利。自2010年起,SSC及
Seoul Viosys陸續對美日等LED相關產品製造商及零售業者發起多件侵權訴訟,指控對象包
含:日本光學電子零件製造商Enplas Display Device(由Enplas率先發起未侵權確認之訴
)、南亞化(Nichia Corp.)、美國電子家電產品製造大廠Curtis International和Craig
Electronics、美國百貨零售者Salon Supply Store和本案的Kmart公司等。此些訴訟,最
終皆為SSC獲勝或被告同意賠償和解。然而,過去訴訟紀錄顯示(參見下表一),SSC亦多
次受南亞化、荷蘭飛利浦(Koninklijke Philips Electronics N.V.)、美國波士頓大學
、國立成功大學以及其他小型專利授權公司等控告侵權,或與使用其LED晶片產品之照明家
具電器業者如IKEA、FEIT等同列被告;最後,SSC亦選擇與原告和解,意味著其在致力於從
事創新研發之同時,仍未能免除侵權風險。
--
韓國首爾半導體指控美國百貨業者Kmart所販售柯達LED燈泡產品侵權
2016年9月9日,南韓LED研發製造大廠首爾半導體(Seoul Semiconductor,簡稱SSC)與其
子公司Seoul Viosys,向美國加州中區聯邦地方法院遞狀控告總部位於伊利諾州的美國百
貨零售連鎖業者凱瑪公司(Kmart)所販售之柯達公司(Kodak)型號41063-UL之LED燈泡產
品(為原告主張之唯一侵權產品,參見下圖)侵害其8項美國專利,並要求法院發佈臨時和
永久禁售令,過去侵權損害賠償、依據美專利法284條之審前及審後利息和惡意侵權加重賠
償,以及專利法285條律師費賠償等救濟。
本案較特殊之處,為原告於訴狀書中雖提到侵權產品包裝上存有Spotlite America Corp
(營業據點位於加州,可能是進口商)以及中國製造等產品來源字樣,然並未將該公司列
名被告,同時亦未將柯達公司列入指控對象,而僅控告該產品下游零售業者。由此可見,
首爾半導體在本案意在搶單,打擊競爭者並搶單進入下游零售通路。
本案8項系爭專利發明,涉及演色性指數(CRI)、磷光體相關組合、LED外延生長(epitaxial growth)
、LED晶片生產和多晶片安裝、全向LED照明以及首爾半導體所研發之Acrich多晶片連結方
案等LED相關技術,專利資訊概述如下:
1.
US 6,942,731「用於提高外延產生之量子點半導體元件的效率的方法」(Method for
improving the efficiency of epitaxially produced quantum dot semiconductor components)
,2005年9月13日獲准,優先權日為2000年8月30日,發明人為Roman Sellin, Nikolai N.
Ledenstov與Dieter Bimberg,原專利權人為德國柏林科技大學(Technische Universitaet Berlin)
,SSC於2012年8月7日經前者轉讓取得本項專利;原告於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害
請求項1。
2.
US 7,626,209 「具有多量子阱結構有源區域的發光二極管」(Light emitting diode having
active region of multi quantum well structure),2009年12月1日獲准,優先權日為
2007年12月18日,發明人為Dong Seon LEE與Eu Jin Hwang,原專利權人為SSC旗下子公司
Seoul Opto Device Co., Ltd.,Seoul Viosys於2014年4月21日經前者轉讓取得本項專利
;原告於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害請求項1。
3.
US 7,906,789「暖白光發光裝置和包含前述裝置的黑光模塊」(Warm White Light Emitting
Apparatus and Black Light Module Comprising the Same),2011年3月15日獲准,優先
權日為2008年7月29日,發明人為Jung Hwa Jung 與 Sang Min Lee,原專利權人及目前持
有人皆為SSC;原告於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害請求項1。
4.
US 7,951,626「發光裝置及其製造方法」(Light Emitting Device and Method of
Manufacturing the Same),2011年5月31日獲准,優先權日為2005年6月22日,發明人為
Jong Lam Lee、Jae Ho Lee、Yeo Jin Yoon、Eu Jin Hwan 與 Dae Won Kim,原專利權人
為Seoul Opto Device Co., Ltd.,Seoul Viosys於2014年4月21日經前者轉讓取得本項專
利;原告於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害請求項9。
5.
US 7,982,207「發光二極管」(Light Emitting Diode),2011年7月19日獲准,優先權日
為2007年10月29日,發明人為Hwa Mok Kim、Dae Won Kim、Dae Sung Kal,原專利權人為
Seoul Opto Device Co., Ltd.,Viosys於2014年4月21日經前者轉讓取得本項專利;原告
於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害請求項1。
6.
US 8,664,638「具有高電壓密度中間層的發光二極管及其製造方法」(Light-Emitting Diode
Having an Interlayer with High Voltage Density and Method for Manufacturing the
Same),2014年3月4日獲准,優先權日為2009年8月28日,發明人為Hong Jae Yoo、Kyung Hee Ye
,原專利權人為Seoul Opto Device Co., Ltd.,Viosys於2014年4月21日經前者轉讓取得
本項專利;原告於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害請求項1。
7.
US 8,860,331「用於交流電源操作的發光裝置」(Light Emitting Device for AC Power
Operations),2014年10月14日獲准,優先權日為2005年6月28日,發明人為Chung Hoon
Lee、James S. Speck、Hong San Kim、Jae Jo Kim、Sung Han Kim、Jae Ho Lee,原專利
權人為Seoul Opto Device Co., Ltd.,Viosys於2014年4月21日經前者轉讓取得本項專利
;原告於訴狀中主張前述系爭產品至少侵害請求項11。
8.
US 9,240,529「紋理磷光轉換層發光二極管」(Textured Phosphor Conversion Layer
Light Emitting Diode),2016年1月19日獲准,優先權日為2004年7月6日,發明人為任教
於加州大學之諾貝爾物理學獎得主日裔科學家中村修二(Shuji Nakamura)以及其同事
Natalie Fellows DeMille、Steven P. DenBaars,,原專利權人為美國加州大學,SSC為本
項專利獨占性被授權人,並獲准以本項專利發起侵權訴訟;原告於訴狀中主張前述系爭產
品至少侵害請求項1。
SSC成立於1987年,現今為南韓最大以及全球第五大LED製造商,其LED產品主要應用於照明
、戶外看板、手機背光、家電產品儀表板及車用照明等領域,並自主研發多項創新技術,
及持有近千件LED相關技術專利組合。SSC旗下子公司Seoul Viosys負責開發應用在室內外
照明設備以及LED背光螢幕、電視、手機、相機及筆記型電腦等實用產品之LED晶片,Seoul
Optodevice則主要從事LED磊晶生產。
SSC持有之LED技術專利組合頗為強大,並使其在法院戰場上無往不利。自2010年起,SSC及
Seoul Viosys陸續對美日等LED相關產品製造商及零售業者發起多件侵權訴訟,指控對象包
含:日本光學電子零件製造商Enplas Display Device(由Enplas率先發起未侵權確認之訴
)、南亞化(Nichia Corp.)、美國電子家電產品製造大廠Curtis International和Craig
Electronics、美國百貨零售者Salon Supply Store和本案的Kmart公司等。此些訴訟,最
終皆為SSC獲勝或被告同意賠償和解。然而,過去訴訟紀錄顯示(參見下表一),SSC亦多
次受南亞化、荷蘭飛利浦(Koninklijke Philips Electronics N.V.)、美國波士頓大學
、國立成功大學以及其他小型專利授權公司等控告侵權,或與使用其LED晶片產品之照明家
具電器業者如IKEA、FEIT等同列被告;最後,SSC亦選擇與原告和解,意味著其在致力於從
事創新研發之同時,仍未能免除侵權風險。
--
Tags:
專利
All Comments
Related Posts
白光LED專利訴訟 日亞化控告宏達電侵權
By Harry
at 2016-11-11T08:38
at 2016-11-11T08:38
愛立信Avanci專利池授權平台 瞄準物聯網
By Frederica
at 2016-11-10T23:42
at 2016-11-10T23:42
加拿大WiLan在華控訴索尼侵犯LTE專利權
By Carolina Franco
at 2016-11-10T09:21
at 2016-11-10T09:21
自己申請專利的問題
By Thomas
at 2016-11-10T08:11
at 2016-11-10T08:11
2016年美國聯邦最高法院7大智慧財產權訴
By Candice
at 2016-11-09T10:21
at 2016-11-09T10:21