※ 引述《fastenjoe (肥勝)》之銘言:
: 內行人看門道,外行人看熱鬧,果然跟我們想的一樣,使用SiC MOSFET並聯IGBT的hybr
id
: https://technews.tw/2023/03/03/trench-sic-misfet-may-play-the-key-role-in-th
e-
: -----
: Sent from JPTT on my iPhone
這看起來像是ROHM的solution
https://myppt.cc/Q0ygm
Body diode改成SiC SBD的IGBT
看起來特性跟全SiC的MOSFET會天差地遠,但應付650V需求是比CoolMOS好一些
按照使用方式,這是OBC用的,應該不是充電樁用的吧?
https://i.imgur.com/i2eERwo.jpg
https://i.imgur.com/8MloOad.jpg
不過齁,100 kHz下效率有97%,這好像判GaN 650V用在OBC死刑了。如此效率與價格,GaN
完全沒優勢啊…
--
: 內行人看門道,外行人看熱鬧,果然跟我們想的一樣,使用SiC MOSFET並聯IGBT的hybr
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: https://technews.tw/2023/03/03/trench-sic-misfet-may-play-the-key-role-in-th
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: Sent from JPTT on my iPhone
這看起來像是ROHM的solution
https://myppt.cc/Q0ygm
Body diode改成SiC SBD的IGBT
看起來特性跟全SiC的MOSFET會天差地遠,但應付650V需求是比CoolMOS好一些
按照使用方式,這是OBC用的,應該不是充電樁用的吧?
https://i.imgur.com/i2eERwo.jpg

https://i.imgur.com/8MloOad.jpg

不過齁,100 kHz下效率有97%,這好像判GaN 650V用在OBC死刑了。如此效率與價格,GaN
完全沒優勢啊…
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