長江存儲推出128層QLC快閃X2-6070，預計2020下半年量產
1.原文連結：
https://bit.ly/2XBEdUR
2.原文內容：
2020年4月13日，中國大陸長江存儲科技(YMTC)宣布其128層QLC 3D NAND快閃晶片（型號
： X2-6070）研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。號稱業
內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有高單位面積存儲密度、最高
I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。同時發布，128層512Gb TLC（3 bit/cell）
規格閃存晶片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。128 層QLC 版本將率先
應用於消費級SSD ，並逐步進入企業級服務器、數據中心等領域，以滿足未來5G 、AI 時
代多元化數據存儲需求。
長江存儲X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND。長江存儲在短短3 年時間實現了從32 層到
64 層再到128 層的跨越。
Xtacking ® 2.0
在長江存儲128層系列產品中，Xtacking ®已全面升級至2.0，進一步釋放3D NAND閃存潛
能。在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps（
Gigabits/s千兆位/秒）的數據傳輸速率。由於外圍電路和存儲單元分別採用獨立的製造
工藝，CMOS電路可選用更先進的製程，同時在晶片面積沒有增加的前提下Xtacking ®
2.0還為3D NAND帶來更佳的擴展性。
X2-6070 充分發揮QLC 技術特點
QLC是繼TLC（3 bit/cell）後3D NAND新的技術形態，具有大容量、高密度等特點，適合
於讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存晶片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個
有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數據
，共提供1.33 Tb的存儲容量。如果將記錄數據的0或1比喻成數字世界的小“人”，一顆
長江存儲128層QLC芯片相當於提供3,665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約
14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
由於，QLC 降低了NAND 閃存單位字節（Byte ）的成本，更適合作為大容量存儲介質。隨
著主流消費類SSD 容量邁入512GB 及以上，QLC SSD 未來市場增量將非常可觀。
尤其，與傳統HDD 相比，QLC SSD 更具性能優勢。在企業級領域，QLC SSD 將為服務器和
數據中心帶來更低的讀延遲，使其更適用於AI 計算，機器學習，實時分析和大數據中的
讀取密集型應用。在消費類領域，QLC 將率先在大容量U盤，閃存卡和SSD 中普及。
結語
長江存儲128層QLC快閃X2-6070有望在今年(2020)下半年開始製造128層產品。三星電子和
SK海力士去年(2019)也生產了第一批128層NAND快閃記憶體產品，一旦長江存儲按計劃生
產其128層產品，南韓和中國公司之間的技術差距可能縮小到僅領先兩年之內。
中國大陸政府積極扶植半導體產業自主化，從技術門檻相對低的NAND切入，再攻DRAM技術
。當長江存儲位於COVID-19疫情震央的武漢，在武漢的長江存儲工廠照常運轉。這沒有中
國政府的協助是不可能的。而且，中國政府支持這些扶植企業直到它們實現規模經濟，儘
管他們製造產品精度仍不如國際大廠，但仍要求中國下游業者盡量使用這些扶植公司的
DRAM和NAND快閃晶片。
3.心得/評論：
長江存儲宣布完成新一代QLC NAND快閃晶片開發，容量為前一代的5.33倍，預計今年下半
年投入製造，也使中國在記憶體市場與韓國差距縮短。
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1.原文連結：
https://bit.ly/2XBEdUR
2.原文內容：
2020年4月13日，中國大陸長江存儲科技(YMTC)宣布其128層QLC 3D NAND快閃晶片（型號
： X2-6070）研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。號稱業
內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有高單位面積存儲密度、最高
I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。同時發布，128層512Gb TLC（3 bit/cell）
規格閃存晶片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。128 層QLC 版本將率先
應用於消費級SSD ，並逐步進入企業級服務器、數據中心等領域，以滿足未來5G 、AI 時
代多元化數據存儲需求。
長江存儲X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND。長江存儲在短短3 年時間實現了從32 層到
64 層再到128 層的跨越。
Xtacking ® 2.0
在長江存儲128層系列產品中，Xtacking ®已全面升級至2.0，進一步釋放3D NAND閃存潛
能。在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps（
Gigabits/s千兆位/秒）的數據傳輸速率。由於外圍電路和存儲單元分別採用獨立的製造
工藝，CMOS電路可選用更先進的製程，同時在晶片面積沒有增加的前提下Xtacking ®
2.0還為3D NAND帶來更佳的擴展性。
X2-6070 充分發揮QLC 技術特點
QLC是繼TLC（3 bit/cell）後3D NAND新的技術形態，具有大容量、高密度等特點，適合
於讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存晶片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個
有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數據
，共提供1.33 Tb的存儲容量。如果將記錄數據的0或1比喻成數字世界的小“人”，一顆
長江存儲128層QLC芯片相當於提供3,665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約
14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
由於，QLC 降低了NAND 閃存單位字節（Byte ）的成本，更適合作為大容量存儲介質。隨
著主流消費類SSD 容量邁入512GB 及以上，QLC SSD 未來市場增量將非常可觀。
尤其，與傳統HDD 相比，QLC SSD 更具性能優勢。在企業級領域，QLC SSD 將為服務器和
數據中心帶來更低的讀延遲，使其更適用於AI 計算，機器學習，實時分析和大數據中的
讀取密集型應用。在消費類領域，QLC 將率先在大容量U盤，閃存卡和SSD 中普及。
結語
長江存儲128層QLC快閃X2-6070有望在今年(2020)下半年開始製造128層產品。三星電子和
SK海力士去年(2019)也生產了第一批128層NAND快閃記憶體產品，一旦長江存儲按計劃生
產其128層產品，南韓和中國公司之間的技術差距可能縮小到僅領先兩年之內。
中國大陸政府積極扶植半導體產業自主化，從技術門檻相對低的NAND切入，再攻DRAM技術
。當長江存儲位於COVID-19疫情震央的武漢，在武漢的長江存儲工廠照常運轉。這沒有中
國政府的協助是不可能的。而且，中國政府支持這些扶植企業直到它們實現規模經濟，儘
管他們製造產品精度仍不如國際大廠，但仍要求中國下游業者盡量使用這些扶植公司的
DRAM和NAND快閃晶片。
3.心得/評論：
長江存儲宣布完成新一代QLC NAND快閃晶片開發，容量為前一代的5.33倍，預計今年下半
年投入製造，也使中國在記憶體市場與韓國差距縮短。
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