台積電1奈米製程突破點找到了 IBM哭哭 - 股票

----------------------------------發文提醒-------------------------------
1.發文前請先詳閱[新聞]分類發文規範，未依規範發文將受處份。
2.連結過長請善用 https://bit.ly/ 縮網址，連結能不能點擊者板規1-2-2處份。
3.心得/評論請盡量充實，*[m心得過短或濫竽充數將會以1-2-3&一行文規範水桶處份
4.發文請依照格式文章標明段落，不符合格式者依4-1刪文處分。
---------------------------- 以上注意事項得刪除 -------------------------



原文標題：台積電1奈米製程突破點找到了 IBM哭哭
(請勿刪減原文標題)
原文連結：https://ctee.com.tw/news/tech/462047.html
(請善用縮網址工具)
發布時間：2021.05.19
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)


原文內容：工商時報 數位編輯


全球晶圓代工龍頭台積電所掌握先進製程，在該領域擁有超高市占率，與競爭對手拉開技

術差距，隨著矽基半導體逼近物理極限，各界都在尋找克服困境的材料。台灣大學與攜手

台積電、美國麻省理工學院（MIT），發現二維材料結合半金屬鉍（Bi）能達到極低的電

阻，接近量子極限，有助於實現半導體1奈米以下的艱鉅挑戰。


這項研究已於《自然》期刊（Nature）公開發表。這項跨國研究始於2019年，合作時間長

達1年半，包括台大、台積電、MIT都投入研究人力，共同為半導體產業開創新路。


博士沈品均則指出，過去半導體使用三維材料，物理特性與元件結構發展到3奈米製程節

點，這次研究改用二維材料，厚度可小於1 奈米（1~3層原子厚），更逼近固態半導體材

料厚度的極限。而半金屬鉍的材料特性，能消除與二維半導體接面的能量障礙，且半金屬

鉍沉積時，也不會破壞二維材料的原子結構，台大團隊運用下一世代的微影技術，透過氦

離子束微影系統（Helium-ion beam lithography）將元件縮小至奈米尺寸，獲得突破性

的成果。


隨著先進製程發展至5奈米製程，甚至是3奈米製程，電晶體數目再度逼近物理極限。從過

去的MOSFET（金氧半場效電晶體）、FinFET（鰭式場效電晶體），甚至是將在3奈米、2奈

米製程採用的環繞閘極技術（Gate-All-Around，GAA），1奈米製程透過僅1~3層原子厚的

二維材料，電子從源極（source）走以二硫化鉬為材料的電子通道層，上方有閘極（gate

）加壓電壓來控制，再從汲極（drain）流出，這項研究透過鉍這個材料，來做為接觸電

極的結構，大幅降低電阻並提高傳輸電流，讓二維材料成為可能取代矽，成為新興的半導

體材料。


至於先前由國際商業機器公司IBM發表採用GAA技術的2奈米製程晶片，聲稱比起當前最先

進的7奈米、5奈米製程晶片，2奈米製程電晶體密度更高、增加45％效能、能源效率提升

達75％。相較之下，IBM提供了GAA技術2奈米製程實現的可能性，但其接觸電極的接點採

用的仍是銅，為金屬材料，相較之下，台大與台積電、MIT的研究團隊採用的是半金屬，

更有效改善電阻與電流問題，達到歐姆接觸（Ohmic）。值得注意的是，進入先進製程節

點後，原本奈米製程節點所述數字指的是閘極長度，後來已經不一定符合該邏輯，主要是

各家晶圓代工廠所採用的電晶體結構不同所致。

（中時新聞網 呂承哲）



心得/評論：台積電就是強就是穩,管你是三星還是英特爾還是IBM,在晶圓代工領域上通通

不是台積電的對手啦,最近也開始下雨了,對台積電來講也是利多,相信台積電在晶圓代工

霸主的地位上,還能維持個五年以上應該沒問題的。



※必需填寫滿20字




--