加速投資第三代半導體SiC與GaN，台積電專 - 股票

原文標題：
加速投資第三代半導體SiC與GaN，台積電專攻GaN代工，其他大廠與南韓聚焦SiC
(請勿刪減原文標題)
原文連結：
http://bit.ly/2NCqSIJ
(請善用 https://bit.ly/ 縮網址)
發布時間：
2021年2月17日
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)


原文內容：
涵蓋SiC和GaN在內的下一代化合物功率半導體市場的成長，將從2021年開始進入快速成長期。根據市場研究公司Yole預測，到2024年，SiC功率半導體市場將以29%的年複合成長率成長，達到20億美元規模。

如今化合物半導體已經開始用於5G裝置，工業設施，電動車和太陽能等產業。此外，GaN電晶體也已被大量用於智慧型手機和筆記型電腦的充電變壓器之中。

就在這商機之下，南韓的貿易，工業和能源部（MOTIE）宣布，將加大對化合物半導體的研發和基礎設施的支持，進而希望韓國能夠從2021年起搶占全球SiC和GaN市場的商機。

配合韓國政府的政策下，南韓企業開始進行一系列相關投資。例如：2021年1月28日，SK集團向YEST的子公司Yes Power Technix投資了268億韓圜。Yes Power Technix成立於2017年，研究和開發SiC器件，其6吋和8吋晶圓生產線的SiC晶圓年生產能力達到每年14,000片的水準。此外，SK集團下的SK Siltron最近收購了杜邦的SiC晶圓業務。

在化合物半導體的生產中，晶圓生產技術很重要。在GaN上，廠商是通過使用MOCVD設備在基板上生長GaN外延層來製造GaN半導體。至於SiC，其是在SiC外延晶圓上通過多層晶圓上沉積幾微米厚的SiC單晶層而製成。

SiC晶片是由Cree、英飛凌、意法半導體和Rohm等主要公司生產。在韓國，SK Siltron期望能跟上這些廠商的腳步。

其中，Cree計劃到2024年將SiC產能提高30倍，並為其GaN業務投資10億美元。意法半導體的SiC晶片組相關銷售額在2019年達到2億美元，目標是到2025年達到10億美元目標。至於GaN，總部位於加拿大渥太華的GaN功率電晶體供應商GaN系統（GaN Systems）宣佈其出貨量達到2000萬顆，其與合作夥伴台積電預計在2021年能夠完成40倍的產能擴張計劃。

基本上，GaN比起SiC便宜許多，因為SiC需要更昂貴和複雜的製程。如果要增加SiC容量，其所需的成本是GaN的10倍以上。對於GaN而言，低資本支出以及較低的基板成本，都讓GaN電晶體的成本低於SiC。但由於材料特性不同，這兩種元件適合的應用市場也有所區隔。一般來說，SiC與GaN的區隔市場以耐受電壓600~650伏特為界，高於此一區間的應用是以SiC為主；低於此一區間的市場則是以GaN為主。



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南韓政府希望搶占GaN和SiC半導體市占率，將加大國家對相關企業的支持，南韓企業也因此動作頻頻，開始進行子公司的投資及併購。



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