三星半導體採攻擊式投資 因應景氣循環模 - 股票

1.原文連結：
三星半導體採攻擊式投資 平澤園區新廠上看3座 因應景氣循環模式變遷、大陸崛起 然供
給恐過剩
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2.原文內容：
三星集團(Samsung Group)宣布180兆韓元(約1,600億美元)3年投資計畫，其中100兆韓元(
約890億美元)將用於半導體領域，南韓業界指出，近期三星電子(Samsung Electronics)
半導體部門已開始草擬100兆韓元投資方案，可能於平澤半導體園區再建新廠，若以投資
金額推估，未來三星平澤園區恐出現第二、三座、甚至第四座半導體廠，恐加深市場供給
過剩疑慮。

根據韓媒引述業界消息指出，三星可能不考慮記憶體供給過剩與價格下滑擔憂，決定採取
更積極的攻擊式投資，主要在於三星判斷半導體景氣循環模式已不同於過往，未來仍具有
相當高的成長潛力，加上面對大陸半導體產業強勢崛起，三星認為必須以最先進及穩定的
技術，構築更高的護城河，讓大陸業者難以跨過門檻。

三星預期半導體景氣循環模式將與過去不同，隨著自駕車、人工智慧(AI)等工業4.0革命
到來，全球半導體市場需求可望激增，除了目前既有的PC、智慧型手機等產品外，包括自
駕車、雲端運算等新興產業，以及深度學習、神經網路等AI相關技術加速發展，讓資料處
理量大增，均將帶動半導體市場大幅成長。

此外，面對大陸半導體產業持續崛起，三星決定採取先發制人的攻擊式投資策略，藉以拉
大與競爭對手差距，透過擴大投資戰略，維持領先者的優勢地位。

南韓業界透露，三星半導體部門已開始對100兆韓元擬定投資方案，如果從金額推估，未
來三星可能於平澤半導體園區再建3座半導體廠，三星係於2015年5月決定於佔地面積88萬
坪的平澤半導體園區內興建平澤一廠，2017年完工後開始量產3D NAND Flash，投資額約
35兆韓元(約310億美元)。

三星平澤園區正式啟用後，加上三星器興園區及華城園區，形成全球最大的半導體生產聚
落。南韓業界估計，目前平澤一廠僅使用平澤半導體園區約4分之1的土地，從平澤園區佔
地面積來看，未來三星於平澤園區再興建第二、三座、甚至第四座半導體廠都有可能。

儘管無法得知三星半導體部門規劃生產的產品類別，但南韓業界推測三星應會對領先的記
憶體市場先進行攻擊式投資，目前三星在全球DRAM與NAND Flash市佔皆是第一，市佔率分
別為46%與36%，若未來三星在平澤園區再興建3座新廠，屆時記憶體產業恐陷入供給過剩
困境。

三星記憶體2017年營收約60兆韓元(約530億美元)，營業利益約33兆韓元(約290億美元)，
營業利益率達55%，南韓業界預估，2018年三星記憶體部門營運表現可望更為亮眼。不過
，儘管三星全力布局AI、自駕車等尖端半導體市場，期望擴大非記憶體產品陣容，然現階
段三星半導體事業發展主軸仍可能鎖定記憶體領域。


3.心得/評論：
先前三星電子副會長李在鎔回歸經營陣線，召集半導體暨裝置解決方案事業部(DS)幹部會
議，囑咐必須保持與對手維持大幅度領先。看來若南韓半導體產業不加緊發展，未來也會
如LCD面板一樣被大陸超越，因此李在鎔才會強調維持大幅度技術差距的重要性。

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