三星2017~2018兩年半導體資本支出468億 - 股票

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三星2017~2018兩年半導體資本支出468億美元 等於英特爾 + 台積電

三星於2017年與2018年的兩年半導體資本支出為468億美元，幾乎與英特爾加上台積電於
這兩年兩家公司相加總的資本支出484億美元相當。這的確讓人非常驚訝。
三星將在2018年再次成為IC供應商的最大資本支出的廠商。2017年三星半導體的資本支出
為242億美元，IC Insights預測三星於2018年的支出雖然略微下滑，但仍保持在226億美
元的水準。
從歷史資料得知，三星半導體資本支出從2010年開始是超過100億美元的第一年，一直到
2016年的七年間，平均每一年資本支出為120億美元。但是隨著半導體逐步進入12吋晶圓
以及10奈米製程之後，2017年的資本支出開始上升一倍以上。為了保持競爭力以及強化人
工智慧來臨的晶片時代，2018年又維持強勁的資本支出，這的確令人吃驚。

IC Insights認為，三星2017年和2018年的大規模資本支出將在未來產生深遠影響。已經
產生的第一個影響是3D NAND快閃記憶體市場的產能開始過剩。這種產能過剩的情況不僅
歸因於三星對3D NAND快閃記憶體的巨額支出，還包含吸引競爭對手，包含：SK海力士、
美光、東芝與英特爾的加碼，因為他們都不想成為下一波淘汰的一員。
隨著DRAM和NAND快閃記憶體市場在2018年前三季出現強勁成長，SK海力士於2018年的資本
支出增加。在2018年第一季，SK海力士計劃2018年將其資本支出增加至少30%。到11月，
IC Insights預測SK海力士的資本支出將增加58%。SK海力士於2018年增加的支出主要集中
在兩個大型快閃記憶體晶圓廠，分別是韓國清州的3D NAND快閃記憶體晶圓廠，以及中國
無錫DRAM晶圓廠的擴建。清州工廠將在2018年年底將開始運作，而無錫工廠也計劃在2018
年年底前運作，比先前計畫的2019年初還要早幾個月。

總體而言，IC Insights預測今年(2018)半導體產業的資本支出總額將成長15%至1071億美
元，這是該行業首次年度資本支出突破1000億美元。可是2019年半導體資本支出將反轉下
降12%。

鑑於目前快閃記憶體市場的疲軟，預計這情況將延續至少三季至2019年上半年，三大供應
商三星、SK海力士和美光的總資本支出預計也將從2018年454億美元下降至2019年為375億
美元，下降17%。

總體來說，預計今年前五大廠商將在2019年削減14%的資本支出，其餘的半導體廠商將下
降7%。

3.心得/評論：
IC insight預測2019年大廠牌都會削減在半導體產業的支出。三星在2017年及2018年大規
模的資本支出也影響了3D NAND的產能過剩。

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