1.原文連結：
http://technews.tw/2017/07/28/3d-nand-excess-dram/
2.原文內容：
作者 MoneyDJ | 發布日期 2017 年 07 月 28 日 9:30 | 分類 晶片 , 零組件 follow
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記憶體進入製程轉換，產能大減，從去年下半到今年上半以來，DRAM 均價飆升 17%、
NAND 均價攀漲 12%，難怪業者無不撒錢擴產。但是 IC Insights 警告，過度投資恐怕會
導致產能過剩。
韓媒 etnews 報導，南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK hynix）26 日表示，今年將斥資
86.1 億美元（約 9.6 兆韓圜），進行設備投資。此一金額比年初宣布數字高出 37%，
也比該公司去年的設備投資總額高出 53%。
SK 海力士撒錢，是想讓新廠提前完工。該公司主管 Lee Myung-young 說，生產 DRAM 的
中國無錫廠和生產 NAND Flash 的南韓清州（Cheongju）廠，原定完工時間是 2019 年上
半，如今將提早至 2018 年第四季，比預定時間提早半年。
SK 海力士強調，新廠落成後，記憶體產出不至於暴增，估計 DRAM 和 NAND Flash 產能
只會增加 3~5%，呼籲市場放心。業界人士認為，這是因為資金多用於技術升級。
然而記憶體業者大手筆投資，仍讓 IC Insights 憂心忡忡。該機構 18 日新聞稿稱，記
憶體以往市況顯示，過度投資常會造成產能過剩、削弱價格。未來幾年三星電子、SK 海
力士、美光、英特爾、東芝 / SanDisk、武漢新芯（XMC） / 長江存儲（Yangtze River
Storage）都大舉提高 3D NAND Flash 產能，未來可能還有中國新業者加入戰場，3D
NAND Flash 產能過多的可能性「非常高」（very high）。
此外，DRAM 和 NAND 的價格漲勢也逐漸放緩（見下圖）。儘管 DRAM 均價漲勢在 2016
年第四季觸頂，但是直到 2017 年 Q2 仍表現強健。IC Insights 估計，今年 Q3 DARM
均價將略為上揚，Q4 則微幅下跌，代表 DRAM 上升循環告終。
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3.心得/評論：
唐·王勃《滕王閣序》:“勝地不常，盛筵難再。”
宋·晁補之《梁州令疊韻》:“好景難常在，過眼韶華如箭。”
便宜的在海上，更便宜的還在生產線上～
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