intel:我的10nm SuperFin要打GG的5nm喔 - 股票

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作者: oppoR20 (R20) 看板: PC_Shopping
標題: [情報] intel:我的10nm SuperFin要打GG的5nm喔
時間: Wed Aug 19 13:37:59 2020

Intel連Tiger Lake 11代酷睿的晶圓都拿出來了，10nm SuperFin反攻台積電5nm

https://bit.ly/2FvOxXm
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https://i.imgur.com/oMW9ABr.png
今年下半年 Intel 的 Ultrabook，將會搭載 Tiger Lake Mobile 處理器，採用 10nm+
製程，配上新的 Willow Cove CPU 架構與 Xe GPU 架構，預料效能將會有大幅的提升。
而在2020年度架構日上，Intel首次公開介紹了下一代低功耗移動酷睿平台Tiger Lake的
詳細架構設計，甚至秀出了Tiger Lake的晶圓。

Intel 先前已經解釋過，Tiger Lake所用的10nm SuperFin新製程技術，比傳統的10nm要
來得更好，因此一般也稱為 10nm++。而在這次的大會上，Intel又一次公開講解了Tiger
Lake的架構設計，並第一次亮出了Tiger Lake的晶圓。

https://i.imgur.com/oMW9ABr.png

不過因為是在視訊會議的影片， 晶圓看不清細節，因此也無法算出一片晶圓可以產出多
少晶片。

雖然在不久前，英特爾宣佈其7nm製程的量產要延遲6個月，使得其股價大跌。面對台積電
的5nm已經量產，而英特爾的7nm還在難產之中。

但是，相比台積電、三星在製程命名的規則不同，英特爾一直踐行著最為嚴苛的工藝節點
命名方式，每一代製程的升級其晶體管數量將達到上一代的兩倍。也就是說，英特爾的
7nm的晶體管密度將是10nm的兩倍。

因此，如果以晶體管密度為標準的話，英特爾三年前推出的14nm製程所能達到的晶體管密
度已經與三年後台積電、三星所推出的10nm的晶體管密度相當，而英特爾的10nm工藝雖然
比台積電、三星要晚，但是它的晶體管密度卻達到他們的兩倍，並且在鰭片間距、柵極間
距、最小金屬間距、邏輯單元高度等指標均領先於台積電和三星的10nm。

https://i.imgur.com/3HJZnGp.png

10nm SuperFin技術實現了英特爾增強型FinFET晶體管與Super MIM（
Metal-Insulator-Metal）電容器的結合。SuperFin技術能夠提供增強的外延源極/漏極、
改進的柵極工藝和額外的柵極間距，並通過以下方式實現更高的性能：
1、增強源極和漏極上晶體結構的外延長度，從而增加應變並減小電阻，以允許更多電流
通過通道
2、改進柵極工藝以實現更高的通道遷移率，從而使電荷載流子更快地移動
3、提供額外的柵極間距選項可為需要最高性能的晶片功能提供更高的驅動電流
4、使用新型薄壁阻隔將過孔電阻降低了30%，從而提升了互連性能表現
5、與行業標準相比，在同等的佔位面積內電容增加了5倍，從而減少了電壓下降，顯著提
高了產品性能。
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語畢 哄堂大笑
我說你們先不用14nm++++++++++++++再說吧
10nm難產 7nm會不會胎死腹中cc

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哇塞你看，這個iPhone SE提升真的好多，用了A13處理器，介面比iPhone 8順暢多了，4G支
援5CA下載速度更快了。你看看這個拍照，A13加持畫質好好，比iPhone 8還清楚
太多了！

店員：不好意思，你拿的是iPhone 8，這個才是iPhone SE。

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