GaN和SiC功率半導體市場將在2021年突破10 - 股票

GaN和SiC功率半導體市場將在2021年突破10億美元

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2.原文內容：
由於，在混合動力與電動汽車、電源和太陽能光電（PV）需求的刺激下，新興的碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場，預計在2021年將突破10億美元。

根據Omdia《2020年SiC和GaN功率半導體報告》，全球SiC和GaN功率半導體的銷售收入，預計未來十年的市場收入將以兩位數的速度增長，將從2020年的8.54億美元增加到2029年將超過50億美元。

其實，SiC肖特基二極體已進入市場十多年了，近年來出現了SiC金屬氧化物半導體場效應電晶體（SiC MOSFET）和結柵場效應電晶體（SiC JFET）。SiC功率模組也越來越多，包括混合SiC模組、包含帶Si絕緣柵雙極電晶體（IGBT）的SiC二極管，以及包含SiC MOSFET的全SiC模組。

在SiC MOSFET受到製造商歡迎而已有多家公司提供產品，也因此導致平均價格在2019年下降，包括推出定價與矽超結合MOSFET競爭的650V、700V和900 V之SiC MOSFET，以及供應商之間的競爭加劇。價格下跌也將促使SiC MOSFET技術更快地被採用。

相比之下，GaN功率電晶體和GaN系統IC最近才出現在市場上。GaN是一種寬帶隙(WBG)材料，具有與SiC類似的性能優勢，但具有更高的降低成本的潛力。這些具有價格和性能優勢，因為GaN功率器件可以生長在比SiC便宜的矽或藍寶石基底上。儘管現在可以提供GaN電晶體，但預計Power Integrations、德儀和Navitas Semiconductor等公司的GaN系統IC的銷售，將以更快的速度增長。

SiC和GaN功率半導體市場趨勢

預估從2021年起，SiC MOSFET將加快速度增長，成為最暢銷的SiC功率器件。SiC JFET供應商較少、仍保持特殊的利基產品，但收入將比SiC MOSFET小得多。

混合SiC功率模組結合了Si IGBT和SiC二極管，完整的SiC功率模組預計到2029年將達到8.5億美元。因將首先進入混合動力和電動汽車動力總成逆變器(powertrain inverters)。相比之下，混合SiC電源模組將主要用於太陽能（PV）逆變器、不間斷電源系統和其他工業應用之成長率並不高。

現在，SiC和GaN功率器件都獲得供應商，甚至是新進入市場的供應商通過JEDEC和AEC-Q101認證。SiC和GaN器件通常看起來比矽更好。

帶有GaN電晶體和GaN系統IC的最終產品正在量產，尤其是USB C型電源適配器和充電器，可為手機和筆記型電腦快速充電。同樣，許多GaN器件由代工商製造，可在標準矽晶片上提供GaN外延電晶體的生長，並且隨著產量的增加而無限擴大產能。

3.心得/評論：
電動車電子元件帶動GaN和SiC功率半導體，前景看好，功率半導體領導廠商，意法半導體、英飛凌、安森美半導體和三菱電機等都可能隨時進入該領域搶奪商機。

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