原文標題：台積電致股東報告書：2奈米座落竹科、中科 擴展未來技術領先
原文連結：https://money.udn.com/money/story/5612/7145193
發布時間：2023/05/05 16:27:32
記者署名：經濟日報 記者尹慧中/台北即時報導
原文內容：
台積電（2330）致股東營業報告書今（5）日上傳，台積電董事長劉德音、總裁魏哲家在
致股東的營業報告書中回顧過去台積電過去一年發展，並提及台積電技術發展，正為預計
於民國一百一十四年開始量產的2奈米技術（N2）做準備，該製程技術將座落於新竹和台
中科學園區，N2將進一步擴展我們未來的技術領先地位。
提升節能運算需求與技術優勢
技術發展方面，台積電致股東營業報告書說，我們的2奈米技術將採用奈米片（Nanosheet
）電晶體結構，並提供全製程效能和功耗效率的效益，相較於 N3E，N2 在相同功耗下速
度增快 10%-15%，或在相同速度下功耗降低 25%-30%，以滿足日益增加的節能運算需求；
N2將為我們的客戶提供最佳的效能、成本，和技術成熟度，並將進一步擴展我們未來的技
術領先地位。
台積電致股東營業報告書說，隨著3奈米技術在民國一百一十一年邁入量產，並且在 PPA
（效能、功耗及面積）及電晶體技術上都是最先進的半導體技術，台積公司持續擴大我們
的技術領先。我們正在為下一世代的技術奠定堅實基礎，N2 技術的研發依計畫進行中，
預計於民國一百一十三年試產，並於民國一百一十四年量產。我們的2奈米技術推出時，
在密度和能源效率上都將是業界最先進的半導體技術。
台積電致股東營業報告書也提到，民國一百一十一年，台積公司持續提升研發費用至54億
7,000萬美元，以擴大我們的技術領先和差異化優勢。我們亦與客戶密切合作，協助全球
的創新者釋放創新，為半導體產業創造更大價值。
將 N3 家族設定為未來製程技術主力
台積電致股東營業報告書提到， 5奈米家族技術已邁入量產的第三年，為台積公司營收貢
獻26%，我們持續強化 N5 家族的效能、功耗和密度，N4 已於民國一百一十一年開始量產
，且我們也為支援下一波的 5 奈米產品，推出了 N4P 和 N4X 製程技術。N4P 製程技術
研發進展順利，預計於民國一百一十二年量產；N4X 是台積公司第一個專注於高效能運算
（HPC）、高工作負載的技術，預計於民國一百一十二年進行客戶產品設計定案。
繼 N3 技術於民國一百一十一年進入量產，具備更好的性能、功耗和良率的N3E 將進一步
擴充我們的 N3 家族。N3E 預計於民國一百一十二年下半年量產。我們的 N3 和 N3E 客
戶參與度非常高，量產第一年和第二年的產品設計定案數量將是 N5 的兩倍以上。我們預
期 N3 家族將成為台積公司另一個大規模且有長期需求的製程技術。
突破技術極限 成功邁入量產
台積電致股東營業報告書也說，隨著台積公司不斷突破電晶體微縮的極限，也在不斷擴展
台積公司3DFabric設計解決方案，以提升系統級效能至新境界。台積公司3DFabric結合了
晶圓級 3D 和先進封裝技術，在我們的 3D 技術方面，系統整合晶片（TSMC-SoIC）晶片
堆疊於晶圓之上（Chip on Wafer, CoW）技術成功於民國一百一十一年邁入量產，透過將
靜態隨機存取記憶體（SRAM）堆疊於邏輯晶圓上展現顯著的效能優化；系統整合晶片（
TSMC-SoIC）晶圓堆疊於晶圓之上（Wafer on Wafer, WoW）技術則透過在深溝槽電容晶圓
上堆疊 7 奈米邏輯晶圓，為民國一百一十一年的高效能運算（HPC）產品展現了卓越的系
統效能強化。在我們的先進封裝技術方面，CoWoS®-S技術整合了多個系統單晶片（SoC）
、高頻寬記憶體（HBM）堆疊和三倍光罩尺寸的矽基板，成功於民國一百一十一年量產以
支援客戶的高效能運算（HPC）產品；在整合型扇出（InFO）先進封裝技術方面，整合了
多個系統單晶片（SoC）和兩倍光罩尺寸扇出封裝的台積公司整合型扇出暨基板封裝技術
（InFO-oS），亦成功邁入量產。
為了支援客戶釋放創新、讓產品迅速上市，台積公司提供了所需的完備基礎架構，為客戶
優化設計效率和週期時間。台積公司持續拓展我們的開放創新平台（Open Innovation
Platform, OIP），於民國一百一十一年提供了超過5萬5,000個資料庫與矽智財組合，並
提供從0.5微米至3奈米超過4萬3,000個技術檔案及超過2,900個製程設計套件。
心得/評論：
Key note:
(1) N2 預計時程：民國113年試產，民國114年量產
(2) N2 site：竹科 and 中科
(3) N5 貢獻營收約26%
(4) N4P、N3E 預計時程：民國112年量產
(5) 預計 N3、N3E 量產前2年的產品設計定案數量為 N5 的2倍
台積電值得信賴的致股東報告書
新聞沒特別提到的海外佈局說明包含
(1) 美國，2座FAB，N4、N3
(2) 日本，1座12"特殊製程FAB
--
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發布時間：2023/05/05 16:27:32
記者署名：經濟日報 記者尹慧中/台北即時報導
原文內容：
台積電（2330）致股東營業報告書今（5）日上傳，台積電董事長劉德音、總裁魏哲家在
致股東的營業報告書中回顧過去台積電過去一年發展，並提及台積電技術發展，正為預計
於民國一百一十四年開始量產的2奈米技術（N2）做準備，該製程技術將座落於新竹和台
中科學園區，N2將進一步擴展我們未來的技術領先地位。
提升節能運算需求與技術優勢
技術發展方面，台積電致股東營業報告書說，我們的2奈米技術將採用奈米片（Nanosheet
）電晶體結構，並提供全製程效能和功耗效率的效益，相較於 N3E，N2 在相同功耗下速
度增快 10%-15%，或在相同速度下功耗降低 25%-30%，以滿足日益增加的節能運算需求；
N2將為我們的客戶提供最佳的效能、成本，和技術成熟度，並將進一步擴展我們未來的技
術領先地位。
台積電致股東營業報告書說，隨著3奈米技術在民國一百一十一年邁入量產，並且在 PPA
（效能、功耗及面積）及電晶體技術上都是最先進的半導體技術，台積公司持續擴大我們
的技術領先。我們正在為下一世代的技術奠定堅實基礎，N2 技術的研發依計畫進行中，
預計於民國一百一十三年試產，並於民國一百一十四年量產。我們的2奈米技術推出時，
在密度和能源效率上都將是業界最先進的半導體技術。
台積電致股東營業報告書也提到，民國一百一十一年，台積公司持續提升研發費用至54億
7,000萬美元，以擴大我們的技術領先和差異化優勢。我們亦與客戶密切合作，協助全球
的創新者釋放創新，為半導體產業創造更大價值。
將 N3 家族設定為未來製程技術主力
台積電致股東營業報告書提到， 5奈米家族技術已邁入量產的第三年，為台積公司營收貢
獻26%，我們持續強化 N5 家族的效能、功耗和密度，N4 已於民國一百一十一年開始量產
，且我們也為支援下一波的 5 奈米產品，推出了 N4P 和 N4X 製程技術。N4P 製程技術
研發進展順利，預計於民國一百一十二年量產；N4X 是台積公司第一個專注於高效能運算
（HPC）、高工作負載的技術，預計於民國一百一十二年進行客戶產品設計定案。
繼 N3 技術於民國一百一十一年進入量產，具備更好的性能、功耗和良率的N3E 將進一步
擴充我們的 N3 家族。N3E 預計於民國一百一十二年下半年量產。我們的 N3 和 N3E 客
戶參與度非常高，量產第一年和第二年的產品設計定案數量將是 N5 的兩倍以上。我們預
期 N3 家族將成為台積公司另一個大規模且有長期需求的製程技術。
突破技術極限 成功邁入量產
台積電致股東營業報告書也說，隨著台積公司不斷突破電晶體微縮的極限，也在不斷擴展
台積公司3DFabric設計解決方案，以提升系統級效能至新境界。台積公司3DFabric結合了
晶圓級 3D 和先進封裝技術，在我們的 3D 技術方面，系統整合晶片（TSMC-SoIC）晶片
堆疊於晶圓之上（Chip on Wafer, CoW）技術成功於民國一百一十一年邁入量產，透過將
靜態隨機存取記憶體（SRAM）堆疊於邏輯晶圓上展現顯著的效能優化；系統整合晶片（
TSMC-SoIC）晶圓堆疊於晶圓之上（Wafer on Wafer, WoW）技術則透過在深溝槽電容晶圓
上堆疊 7 奈米邏輯晶圓，為民國一百一十一年的高效能運算（HPC）產品展現了卓越的系
統效能強化。在我們的先進封裝技術方面，CoWoS®-S技術整合了多個系統單晶片（SoC）
、高頻寬記憶體（HBM）堆疊和三倍光罩尺寸的矽基板，成功於民國一百一十一年量產以
支援客戶的高效能運算（HPC）產品；在整合型扇出（InFO）先進封裝技術方面，整合了
多個系統單晶片（SoC）和兩倍光罩尺寸扇出封裝的台積公司整合型扇出暨基板封裝技術
（InFO-oS），亦成功邁入量產。
為了支援客戶釋放創新、讓產品迅速上市，台積公司提供了所需的完備基礎架構，為客戶
優化設計效率和週期時間。台積公司持續拓展我們的開放創新平台（Open Innovation
Platform, OIP），於民國一百一十一年提供了超過5萬5,000個資料庫與矽智財組合，並
提供從0.5微米至3奈米超過4萬3,000個技術檔案及超過2,900個製程設計套件。
心得/評論：
Key note:
(1) N2 預計時程：民國113年試產，民國114年量產
(2) N2 site：竹科 and 中科
(3) N5 貢獻營收約26%
(4) N4P、N3E 預計時程：民國112年量產
(5) 預計 N3、N3E 量產前2年的產品設計定案數量為 N5 的2倍
台積電值得信賴的致股東報告書
新聞沒特別提到的海外佈局說明包含
(1) 美國，2座FAB，N4、N3
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