板友考完了心情應該可以比較輕鬆的面對這個討論,
p大的題目內容爭點在於是否為適格之優惠期標的,而非是否適用進步性,
1. 公開與申請內容屬上下位關係,並不屬於同一發明標的(可能屬於同一發明概念),
因此主張不同發明作為優惠期實於法無據,審查委員核駁屬合法,
非優惠期標的物,且無主張優先權日早於該發明申請日
故發明案主張金屬非優惠期標的,審查委員核駁合理。
2. 要能主張優惠期必需為相同"發明標的",就發明實質內容的技術角度來看,
必需具有解決相同問題的方案應當才屬於相同之發明標的。
就上下位技術角度來看,上位技術一般不能解決下位技術的問題,
例如:金屬可以導電,但想要獲得更好的導電效果就必須指出金屬之下位元素
(具體的金屬材料種類),而下位技術手段一般可以解決上位技術問題。
3. 此外,上下位材料揭露還有是否為具備完整"發明標的"之問題,例如利用影像處理技術
提高歪斜影像辨識率,光是揭露影像處理技術的文件並不具體,有可能屬於一種
解決問題的概念(abstract),但實際上是否能提高,需要具體的投影演算法技術協助。
因此上位揭露事實相較於下位技術特徵來說是有可能屬於未完成的發明標的。
這部分可以詳細參考萬國律師事務所郭律師於 IAM 8月7號2013所發表的內容。
至於其他未續及部分,應可自行推導。
※ 引述《VanDeLord (HelloWorld)》之銘言:
: Public disclousre :
: Invention: A+B+C1
: Patent application:
: Invention: A+B+"X"
: "X":
: a. C
: b. C11
: c. C2
: d. C1+D
: e. n/a
: Grace Period:
: Ture(O) or False(X)
: a.( )
: b.( )
: c.( )
: d.( )
: e.( )
: 上面不同國家/區域答案會出現差異,
: 就台專來看,
: 至少目前的看法是公開揭露的事實需要是公眾所知(你沒提,公眾怎麼知道),
: 並以這樣的內容能對應申請專利的發明。
: 就比較嚴格的角度來看,至少我目前的做法是採取比較嚴格的作法,
: 並無風險存在,況且不同國家/區域對grace period的操作方式有所差異,
: 為降低風險,我自己在實務上操作仍舊是從嚴認定為佳。
: 就審基的內容來看,
: 在實際審查上,排除引證內容的揭露事實認定,主要還是以審查官認知為主。
: 對岸代理人也是如此,就他個人自己審查經驗來看,是採取從寬認定,
: 只要申請人有附上相關資料就會加以排除並不會詳究其揭露內容範圍是否對應,
: 只要有附文件即可。
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: PS:今天2013.07.16代理人提供資料,在大陸並沒有找到所述的案例,
: 根據代理人自己的看法,只要是有官方認可文件(國家級展覽,省級不算),
: 就會直接加以排除。
: 日專在修法前是必須completely identical,目前是只要可以比對部分也OK,
: 美專在MPEP2133中並未找到相關具體描述,
: 但是在AIA的Examiner training material中,卻在grace period部分有關
: "subject matter"部分提到,說到發明人的揭露與申請內容必須是same invention,
: 而非發明人所揭露的部分不用完全一樣,而第三人所揭露的部分不用逐字(verbatim)比對,
: USPTO的資料中,對DE,UK,JP與EPO都有相關的比較研究。
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: 但他也不確定我所述及的情況會如何認定,需要收集資料或問目前審查員後才能確定。
: 此外,寬限/優惠期在每個國家/區域或每位審查官在操作方式上都不盡相同,
: 從寬認定對跨領域申請時,在操作風險上反而較高。
: 回到原題:
: 關鍵在於對公開揭露的"事實"認定與申請內容的對應是上下位關係。
: 如果是揭露下位(A+B+C1),申請上位(A+B+C),那這樣公眾可以得知,
: 我認為自然可以排除。
: 另外A+B+C vs. A+B+C1會有擴張申請人優惠期範圍的疑慮,特別是在競爭激烈的領域。
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